Análise de falhas de componentes semicondutores

A detecção de Yu Hongxin possui uma gama completa de capacidade de teste de componentes semicondutores da superfície ao interior, teste ESD, teste FIB, varredura CT industrial, experimentos de tinta vermelha, análise de cortes, cromatografia iônica e outros itens, que podem identificar de forma eficiente problemas de soldadura falsa, fissuras, resíduos iônicos e outros, confiando em instrumentos profissionais para realizar a detecção precisa e ajudar o controle de qualidade de dispositivos eletrônicos.

Análise de falhas de componentes semicondutoresPassos

Na prática, um completoAnálise de falhas de componentes semicondutoresGeralmente segue o princípio básico de "primeiro fora depois dentro, primeiro sem danos depois de destruição"

1. Recolha de falhas e localização de falhas

É o ponto de partida de toda a análise. Você precisa documentar o mais detalhadamente possível:

Falha: Não está funcionando, parâmetros derivados ou falhas intermitentes?

Ambiente de falha: em que testes ou condições de uso ocorreu?

Percentagem de falhas: um fenômeno individual ou um problema em lotes?

Com base no fenômeno, a área aproximada da falha é inicialmente bloqueada através de testes de desempenho elétrico (como teste de curva IV) e inspeção de aparência.

2. Análise não destrutiva

Sem causar danos à amostra, utilize todos os instrumentos para a análise.

Inspeção de aparência: Use um microscópio óptico para examinar cuidadosamente para encontrar anormalidades sutis, como decoloração, rachaduras, poluição e outros.

Teste de propriedades elétricas: o teste de curva IV pode ajudá-lo a confirmar rapidamente se há problemas de alta resistência como curto-circuito, circuito aberto, vazamento de energia elétrica, etc.

Inspeção da estrutura interna:

Para cablagem interna de PCB, pontos de solda (especialmente BGA), etc., a perspectiva de raios-X éUma escolha melhor.

Para camadas pós-umidificação de dispositivos de vedação plástica, placas explosivas de PCB, etc., o ultra-som (C-SAM) é especialmente eficaz porque é muito sensível a defeitos de interface.

3. Tecnologia de análise destrutiva

Quando a análise sem danos não consegue determinar a causa subjacente, uma análise destrutiva é necessária após a autorização.

Análise de cortes: este é o método clássico para observar microestruturas internas como orifícios de PCB, pontos de solda e outros. Prepare uma seção transversal que pode ser observada pelo microscópio através de uma série de etapas como amostragem, mosaico, corte, polimento e corrosão.

Moção iônica: Esta é a atual tecnologia de amostragem mais avançada. O polimento mecânico tradicional pode introduzir arranhões ou poluição abrasiva, enquanto o polimento iônico usa feixes de íons para cortar e polir para obter secções sem tensão e sem poluição, tornando as imagens observadas sob a SEM mais autênticas e nítidas.

Análise SEM/EDS: colocando as fatias preparadas no eletroscópio de varredura (SEM), é possível observar microestruturas extremamente sutis, como compostos intermetais, microfissuras, barras de estanho, etc. Em combinação com o espectrómetro de energia (EDS), também é possível realizar análises qualitativas ou até semi-quantitativas da composição elementar de pequenas áreas para ajudar a determinar a origem de poluentes ou corrosivos.

Análise de abertura: se a falha estiver localizada dentro do chip, é necessário expor o wafer do chip por meio de abertura química (corrosão ácida da embalagem externa de plástico) ou métodos físicos para observar queimaduras, rupturas e outros defeitos internos com o SEM.

4. Análise integrada e conclusões

Por fim, é necessário integrar todos os dados, imagens e fatos obtidos com um raciocínio lógico abrangente para identificar os mecanismos de falha (por exemplo, danos eletrostáticos, tensões mecânicas, migração elétrica, etc.) e, finalmente, identificar a causa subjacente para formar um relatório de análise de falha claramente estruturado que fornece orientação para melhorias subsequentes da qualidade.

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